SOI纳米线波导和相关器件研究进展

• 作者: 余金中 徐学俊 陈少武
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光子集成回路 纳米线波导 上/下路滤波器 调制器 光开关
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.002

摘要

SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗.介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性,评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器件的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
2	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	39	387	9.0	19.0
3	徐学俊	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	7	17	2.0	4.0