近红外波段InAs量子点结构与光学特性

• 作者: 姚江宏 王占国 舒永春 贾国治
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 分子束外延 光致发 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 104-108
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31|TN304.2+3
• 字数: 2034字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.01.021

摘要

采用分子束外延技术,分别在480,520 ℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7 ML的InAs/GaAs量子点.用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布.结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010, 5.0×109 cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布.结合光致发光谱的分析,在480 ℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525 ℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因.