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摘要:
一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器.采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比.利用ADS对电路进行调试和优化.设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器.通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB.直流功耗为9.84mA*1.8V.
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文献信息
篇名 0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计
来源期刊 长春理工大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 低噪声放大器 CMOS ADS 噪声系数 增益
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 100-102,79
页数 4页 分类号 TN722.7
字数 2423字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-9870.2007.04.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 杨波 长春理工大学信息学院 21 48 4.0 6.0
6 周盛华 东南大学射频与光电集成电路研究所 16 25 3.0 5.0
8 王科平 东南大学射频与光电集成电路研究所 12 103 5.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
CMOS
ADS
噪声系数
增益
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
长春理工大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-9870
22-1364/TH
16开
长春市卫星路7089号
1978
chi
出版文献量(篇)
3546
总下载数(次)
14
总被引数(次)
15546
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