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0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计
0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计
作者:
周盛华
杨波
王志功
王科平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低噪声放大器
CMOS
ADS
噪声系数
增益
摘要:
一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器.采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比.利用ADS对电路进行调试和优化.设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器.通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB.直流功耗为9.84mA*1.8V.
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文献信息
篇名
0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计
来源期刊
长春理工大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
低噪声放大器
CMOS
ADS
噪声系数
增益
年,卷(期)
2007,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
100-102,79
页数
4页
分类号
TN722.7
字数
2423字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-9870.2007.04.030
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王志功
东南大学射频与光电集成电路研究所
342
2153
20.0
29.0
2
杨波
长春理工大学信息学院
21
48
4.0
6.0
6
周盛华
东南大学射频与光电集成电路研究所
16
25
3.0
5.0
8
王科平
东南大学射频与光电集成电路研究所
12
103
5.0
10.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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(0)
二级引证文献
(0)
1998(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1999(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2000(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
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参考文献(2)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
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研究主题发展历程
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低噪声放大器
CMOS
ADS
噪声系数
增益
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
长春理工大学学报(自然科学版)
主办单位:
长春理工大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-9870
CN:
22-1364/TH
开本:
16开
出版地:
长春市卫星路7089号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
3546
总下载数(次)
14
总被引数(次)
15546
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