纳米尺度压电薄膜PZT的结构特征和性能

• 作者: 孙建平 徐爱兰 惠春 李敏 汪静
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 传统热处理 快速热处理
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TN604
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2007.01.023

摘要

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响.X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜.原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性.阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右.