Φ200 mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究

• 作者: 任丙彦 李彦林 羊建坤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能直拉硅 热屏 双加热器 有限元法
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 106-108,120
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.004

摘要

介绍了Φ200 mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 mm/min.用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结果表明:改造后的氩气流场被优化,界面附近的晶体纵向温度梯度增加,熔体纵向温度梯度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学材料学院	31	241	9.0	14.0
2	李彦林	河北工业大学材料学院	3	51	3.0	3.0
3	羊建坤	河北工业大学材料学院	3	51	3.0	3.0