亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化

• 作者: 康耀辉 李拂晓 林罡 郑惟彬 黄庆安
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 膺配高电子迁移率晶体管 二维电子气
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6122.2007.01.012

摘要

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化.在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验.流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax＞80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康耀辉	南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室	5	17	2.0	4.0
2	林罡	南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室	15	107	5.0	10.0
3	郑惟彬	南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室	6	18	2.0	4.0