沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响

• 作者: 刘荣军 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 SiC 温度 涂层 显微结构
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 153-158
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.031

摘要

以MTS为先驱体原料,在950～1300 ℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层.利用SEM对涂层的表面形貌和断口特征进行了表征.沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下:950℃时,沉积的SiC颗粒非常细小,为独立的球形堆积;1000～1100 ℃时,CVD SiC涂层表面光滑、致密;1150～1300 ℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙.结合热力学和晶体形核-长大理论,研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制.沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下:1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞;而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松.利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
3	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0