氮气中退火对ZnO薄膜结构与光学性能的影响

• 作者: 刘晓艳 杨兵初 高飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 ZnO薄膜 氮气中退火
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 375-378
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.03.020

摘要

采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火.对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测.结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加.计算表明:退火后ZnO薄膜的禁带宽度略有减小.这可能是氮掺入ZnO薄膜后,N2p与O2p形成杂化轨道,二者能带部分重叠,从而使价带变宽、禁带变窄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨兵初	中南大学物理科学与技术学院	65	347	10.0	13.0
2	刘晓艳	中南大学物理科学与技术学院	62	583	14.0	21.0
3	高飞	中南大学物理科学与技术学院	9	25	4.0	4.0