硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

• 作者: 余和军 余金中 屠晓光 徐学俊 樊中朝 陈少武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基微纳光子器件 电子束/光学邻近效应 ICP-RIE刻蚀 光波导侧壁粗糙度 CVD
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 568-571
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 字数: 2500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.146

摘要

讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
2	樊中朝	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	13	220	8.0	13.0
3	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	39	387	9.0	19.0
4	余和军	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
5	屠晓光	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	4	7	1.0	2.0
6	徐学俊	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	7	17	2.0	4.0