高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究

• 作者: 刘杰 刘纯宝 姚存峰 孙友梅 宋银 王志光 臧航 赵志明 金运范
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 化学
• 关键词: 重离子辐照 注入 SiOC
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 328-331
• 页数: 4页
• 分类号: O571.6|O532|O657.33
• 字数: 2145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.04.022

摘要

用120 kev碳离子注入非晶SiO2薄膜,再用高能Xe、Pb和U离子辐照.注碳剂量范围为2.0×1017-8.6×1017 cm-2,高能离子辐照剂量1.0×1010-3.8×1012 cm-2.辐照后的样品用傅里叶变换红外光谱仪进行系统分析.实验结果显示,高能离子辐照在注碳非晶SiO2薄膜中形成了大量的Si-O-C键和Si-C键.这些Si-O-C结构具有环链、开链和笼链等多种结构形式.随电子能损、辐照剂量或者沉积能量密度的增加,SiOC结构由类笼向环/开链结构演化.对高能重离子驱动产生SiOC结构的机理进行了简单的讨论.