革命者——中国LED照明专辑——激光诱导下SaN的p型掺杂研究

• 作者: 田洪涛 陈朝 黄生荣
• 来源期刊: 中国照明
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 激光诱导 电化学 二次离子质谱 俄歇能谱
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 83-88
• 页数: 6页
• 分类号: TN24

摘要

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层Zn，利用脉冲激光辐照样品，使得Zn掺入GaN中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学C—V法对样品进行测试，得到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂Zn后，未掺杂显n型的GaN材料转变为P型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×10^18cm^-3。利用二次离子质谱方法对Zn含量进行测量，样品表面Zn原子的浓度最大约5．63×10^20cm^-3，Zn原子的浓度随深度的增加而减少和空穴浓度分布类似，由此推测p型激光诱导掺杂的机理是扩散。而对P—GaN材料进行再掺杂，样品表面附近的载流子浓度显著增加，在表面附近最高也达到约为3×10^18cm^-3。结合俄歇能谱对Zn原子浓度及其深度分布进行测量，测量结果表明在表面附近的Zn原子浓度很高，约为7×10^20cm^-3，并且浓度随深度增加而减小。改变激光辐照时间，样品表面的空穴浓度也发生变化，最大的空穴浓度约为5．8×10^18m^-3。试验结果表明激光诱导掺杂的方法对于GaN的P型掺杂是行之有效的。本方法原则上可以应用于GaN基材料的各种器件上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
2	黄生荣	厦门大学物理系	8	25	3.0	5.0
3	田洪涛	厦门大学物理系	4	15	3.0	3.0