LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs

• 作者: 刘乃康 宋航 张铁民 李志明 缪国庆 蒋红 谢建春 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 InAsSb 两步生长法 GaAs
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 246-250
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 2714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.02.020

摘要

利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1.用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征.分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响.获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017 cm-3和迁移率为6 214 cm2/V·s的InAs0.9Sb0.1.在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233 cm-1和InSb(LO)的187 cm-1两种光学声子行为.