基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究

• 作者: 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热电偶 ECR-PEMOCVD 蓝宝石 清洗 RHEED
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.005

摘要

通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法.试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大.最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	郎佳红	安徽工业大学电气信息学院	37	83	5.0	7.0