CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算

• 作者: 冯晶 肖冰 陈敬超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 CIS 密度泛函理论 光电转换 太阳能材料
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5990-5995
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.073

摘要

从头计算了CuInSe2(CIS)体相的性质,参数设定和性质计算都基于密度泛函理论,交换相关能采用GGA,泛函形式为PBE,原子间相互作用的描述采用超软赝势.计算发现CIS中存在共价键,是一种非典型的离子型晶体,在整个晶体内存在共用电子对,Cu原子和Se原子的作用大于Se原子和In原子.CIS是一种典型的直接带隙半导体,计算得到了光学性质的各项参数,包括折射指数和反射率,吸收系数以及介电函数与光子能量的关系,发现CIS的主要光吸收峰有6个,分别为:3.1,7.6,10.0,16.1,19.0,21.0 eV,理论上最强吸收峰在紫外光区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬超		178	1833	21.0	34.0
2	冯晶		35	314	10.0	17.0
3	肖冰		7	130	6.0	7.0