多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析

• 作者: 吴文光 徐时清 沈为民 范广涵 金尚忠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 651-654
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.05.013

摘要

采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL) 的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率) 之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	金尚忠	中国计量学院信息工程学院光电子系	104	1056	17.0	29.0
3	沈为民	中国计量学院信息工程学院光电子系	74	383	10.0	14.0
4	徐时清	中国计量学院信息工程学院光电子系	83	475	10.0	18.0
5	吴文光	中国计量学院信息工程学院光电子系	3	13	2.0	3.0