InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性

• 作者: 孙浩 徐安怀 朱福英 艾立鹍 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP InGaP GaAs GSMBE HBT
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 182-185
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.044

摘要

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	34	145	8.0	9.0
2	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	94	7.0	8.0
3	朱福英	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	11	2.0	2.0
4	孙浩	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	29	72	4.0	6.0
5	艾立鹍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	7	2.0	2.0