AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析

• 作者: 刘思用 孙惠峰 杨武保 林立
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 薄膜 离子反应镀 工艺优化
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 1779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2007.03.014

摘要

利用高纯氮气和铝,采用离子反应镀的方法,在石英玻璃衬底上成功制得AlN薄膜.正交设计优化结果表明:AlN薄膜最大沉积速率达到0.81μm/min,其相应的工艺参数为:蒸发电压225V,轰击电压70V,轰击时N2气压为1.5999Pa.X-射线衍射、原子力显微镜、近红外光谱、拉曼光谱对薄膜进行了分析,证明了AlN薄膜的存在.