离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究

• 作者: 周丽宏 姚存峰 宋银 张崇宏 杨义涛
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 化学
• 关键词: 离子注入 辐照 4H-SiC FTIR Raman谱 退火
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 314-317
• 页数: 4页
• 分类号: O657.33|O552.6|O472.3
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.04.019

摘要

分析了高能pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化.从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在拉曼散射光谱中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在.实验结果说明,高温退火有利于损伤的恢复,使注入到碳化硅中的碳原子发生聚集并引起相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
2	宋银	中国科学院近代物理研究所	25	108	6.0	9.0
3	姚存峰	中国科学院近代物理研究所	10	31	3.0	5.0
7	周丽宏	中国科学院近代物理研究所	11	55	4.0	7.0
11	杨义涛	中国科学院近代物理研究所	27	72	5.0	7.0