化学蚀刻单晶硅及其表面形貌研究

• 作者: 文九巴 樊丽梅 祝要民 赵胜利
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学蚀刻 单晶硅片 表面形貌
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TG172
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2007.01.007

摘要

采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面进行蚀刻,通过扫描电镜(SEM)对其形貌进行了表征,考察了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响.结果表明,在HNO3+HF溶液中,20℃时用2.81mol/L HF+18.81mol/L HNO3反应5min或2.67mol/L HF+17.85mol/L HNO3反应15min,制得了硅片表面腐蚀坑大小适中、分布均匀的多孔状表面;在KOH水溶液中,50℃时在33%的KOH水溶液中反应10min获得了表面积大、分布均匀的绒状表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文九巴	河南科技大学材料科学与工程学院	221	1779	19.0	31.0
2	祝要民	河南科技大学材料科学与工程学院	47	281	10.0	13.0
3	赵胜利	河南科技大学材料科学与工程学院	60	307	9.0	13.0
4	樊丽梅	河南科技大学材料科学与工程学院	7	42	4.0	6.0