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摘要:
采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1~10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.
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文献信息
篇名 3.1~10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 低噪声放大器 超宽带 正向增益S21 噪声系数
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 78-81
页数 4页 分类号 TN7
字数 2546字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0479-8023.2007.01.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖怀林 北京大学微电子系 13 54 3.0 7.0
2 黄如 北京大学微电子系 87 413 9.0 17.0
3 王阳元 北京大学微电子系 78 1128 15.0 32.0
4 宋睿丰 北京大学微电子系 2 31 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
超宽带
正向增益S21
噪声系数
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北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
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