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摘要:
研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺.利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数.流片后对所有器件进行了测试,结果表明,开发的工艺完全符合设计要求.用此工艺制造的A/D、D/A转换器产品,其性能符合设计指标.
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内容分析
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文献信息
篇名 宽电压A/D、D/A转换器用BiCMOS工艺技术研究
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 A/D转换器 D/A转换器 BiCMOS JFET LDD NMOS LDD PMOS
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 TN433
字数 2393字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高峰 重庆大学光电工程学院 33 73 5.0 7.0
4 刘玉奎 9 60 3.0 7.0
6 刘勇 8 16 3.0 3.0
传播情况
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引文网络
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
A/D转换器
D/A转换器
BiCMOS
JFET
LDD NMOS
LDD PMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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