绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 刘向 张志林 朱文清 白钰 蒋雪茵 陈玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 栅绝缘层 场效应迁移率 修饰层
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1589-1593
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.018

摘要

制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V·s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.