MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

• 作者: 代月花 叶云飞 孙家讹 金钟 陈军宁
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子效应 多晶硅 阈值电压 栅电容
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2007.03.010

摘要

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
4	叶云飞	安徽大学电子科学与技术学院	5	3	1.0	1.0
5	金钟	安徽大学电子科学与技术学院	5	14	3.0	3.0