4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析

• 作者: 商耀辉 李若凡 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 陈昊 马永强 齐国虎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线双晶衍射 摇摆曲线 4H-SiC 双层原子结构
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 581-584
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.07.008

摘要

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响.