阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究

• 作者: 张晶 曲轶 李辉 薄报学 高欣
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 阳极氧化 非均匀阱宽 量子阱 脊形波导 超辐射发光管
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 822-825
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2007.07.014

摘要

采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性.在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	94	6.0	9.0
2	张晶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	41	196	7.0	12.0
3	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
4	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
5	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0