膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响

• 作者: 刘晓为 揣荣岩 李金锋 潘慧艳 王喜莲
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅纳米膜 压阻温度特性 应变系数 电阻率温度系数(TCR) 应变系数的温度系数(TCGF)
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 2421-2425
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2007.11.015

摘要

重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.