单向可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨

• 作者: 耿凤美
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGT VRGM VFGM 漏电流 软击穿
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.11.003

摘要

可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中.可控硅分单向可控硅、双向可控硅.单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚.双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚.触发电流IGT是可控硅的重要参数之一.可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象.文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5～6)μA产品中有高档位(20～60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案.