功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

• 作者: 刘亮 刘训春 宋雨竹 尹军舰 张健 张海英 徐静波 李潇 杨浩 牛洁斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 最大振荡频率/功率增益截止频率 高电子迁移率晶体管 InGaAs/InAlAs InP
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1860-1863
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.002

摘要

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.