(Ga,Mn)As光调制反射光谱

• 作者: 孙宝权 王志路
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 PR光谱 Mn杂质带
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 557-560
• 页数: 4页
• 分类号: O469|O472.3
• 字数: 1732字
• 语种: 中文

摘要

室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As 的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡(FKO)信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E0 和E0+Δ0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边～100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为～1017 cm-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志路	唐山师范学院初等教育学院	20	159	7.0	12.0
2	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0