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3 - 18 Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
3 - 18 Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | 3 - 18 Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 硅 氦离子注入 表面形态 损害 拉曼光谱 | ||
| 年，卷（期） | 2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 81 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN305.3 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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硅
氦离子注入
表面形态
损害
拉曼光谱
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研究去脉
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
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1640
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