LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

• 作者: 冯文林 刘虹刚 方旺
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子顺磁共振参量 缺陷结构 LaSrGaO4:Cu2+晶体
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 666-668
• 页数: 3页
• 分类号: O737
• 字数: 1592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2007.03.044

摘要

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方旺	四川大学材料科学系	2	5	2.0	2.0
2	刘虹刚	四川大学材料科学系	4	9	2.0	3.0