高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究

• 作者: 侯旭峰 张会平 荆海 谷长栋
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 电化学沉积 ITO基板 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.004

摘要

利用电化学沉积法,以65±1 ℃的0.1 mol/L Zn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118 Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜.利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显.利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱.透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5 eV左右,且在阴极电势为-2.5 V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	荆海	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	11	54	5.0	6.0
5	谷长栋		1	6	1.0	1.0
6	张会平		2	11	2.0	2.0