磁过滤阴极真空弧沉积法制备TiAlN薄膜的研究

• 作者: 丁剑飞 冷崇燕 吴先映 周奎 李强 王桂岳
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 磁过滤阴极真空弧沉积 TiAlN薄膜 真空室压强
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.04.005

摘要

采用磁过滤阴极真空弧沉积技术在不同的真空室压强(N2流量)状态下制备TiAlN薄膜,讨论了N2流量对TiAlN薄膜各项性能的影响.并对薄膜的成分、结构和性能进行了测试.测试结果表明:获得薄膜较好,真空室压强对薄膜的厚度、摩擦系数和纳米硬度都有着重要的影响.