凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT

• 作者: 任春江 李拂晓 焦刚 王晓亮 钟世昌 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 398-401
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.102

摘要

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	56	225	8.0	12.0
3	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	14	78	6.0	8.0
4	焦刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	12	80	5.0	8.0
5	陈辰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	22	120	7.0	10.0
6	钟世昌	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	15	22	3.0	3.0