MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究

• 作者: 任瑞涛 杨康
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极氧化层 ANSYS HPM MOS器件
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 技术研发
• 页码范围: 127-128
• 页数: 2页
• 分类号: TP3
• 字数: 1634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2007.11.035

摘要

随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄.如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间.当器件特征尺寸进人深亚微来时,栅氧化层厚度仅为数纳米,而器件工作的电源电压却不宜降低,这使栅氧化层工作在较高的电场强度下,栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题.往往一个能量不算大的电磁脉冲,就可以让集成电路的栅氧击穿,将直接导致MOS器件的失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨康	沈阳理工大学信息工程与科学学院	16	58	5.0	7.0
2	任瑞涛	沈阳理工大学信息工程与科学学院	1	0	0.0	0.0