ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟

• 作者: 刘伟 刘松民 叶建东 张荣 朱顺明 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO MOCVD 数值模拟
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 309-311
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.078

摘要

采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.