CMOS单片集成超低压差线性稳压器设计

• 作者: 余华 邹雪城
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超低压差 线性稳压器 线性调整 负载调整 低静态电流
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 859-862
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.034

摘要

设计了一种具有过热保护、限流保护、快速启动等特性的CMOS单片集成超低压差线性稳压器,对其电路结构及其工作原理进行了分析,给出了主要子模块电路的设计方案,提出了设计方法和设计中所需考虑的问题.该稳压芯片,输入电压范围为2.5～6V,输入输出压差的典型值为0.4 mV@1 mA和52 mV@150 mA,电压调整率典型值为0.012 6%/V,负载调整率典型值为0.000 12%,静态电流的典型值为85 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子与科学技术系	310	2261	21.0	31.0
2	余华	华中科技大学电子与科学技术系	11	82	6.0	8.0