成核层退火压力对形成高阻GaN的作用

• 作者: 张国义 杨志坚 沈波 潘尧波 王茂俊 苗振林 许福军 许谏 鲁麟 黄森
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 刃型位错 MOCVD 高阻GaN
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 127-129
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.029

摘要

采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.