低温处理温度对GaAs光电阴极激活结果的影响

• 作者: 常本康 杨智 邹继军 高频
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光电阴极 加热处理 阴极材料 光谱响应曲线
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 222-225
• 页数: 4页
• 分类号: TN223
• 字数: 2610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.03.011

摘要

进行单晶基片和分子束外延(MBE)片两种GaAs(100)光电阴极材料高、低温激活实验,高温处理温度为600℃,低温处理温度分别为580℃、450℃和410℃,阴极每次激活后都利用多信息量测试系统在线测试了其光谱响应曲线.测试结果显示,单晶基片材料在这些温度下的低温激活,灵敏度都比高温提高了30%以上,而MBE外延材料的低温激活结果与低温处理温度有密切关系,在580℃低温处理下,阴极激活后的灵敏度比高温时降低了40.6%,当将低温处理温度降低到450℃,尤其是降低到410℃时,低温激活灵敏度则大幅提高了38.5%,此时阴极长波响应得到大幅提升,光谱响应曲线也最为平坦.分析造成上述现象的原因,可能与两种材料的掺杂元素和低温加热处理特性的不同有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	47	244	10.0	14.0
6	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
7	杨智	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	157	8.0	12.0