用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

• 作者: 刘宝利 刘林生 刘肃 周均铭 王佳 王文新 蒋中伟 赵宏鸣 陈弘 高汉超 黄庆安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 砷化镓衬底 铝镓砷材料
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1411-1414
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.016

摘要

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.