GaN HFET的性能退化

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HFET 性能退化 退化机理 沟道中的强场峰 热电子 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 976-984,1007
• 页数: 10页
• 分类号: TN386|TN304.23
• 字数: 7277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.11.002

摘要

在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联.分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处.通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型.使用这一模型解释了实验中观察到的各类性能退化现象,指出优化设计异质结构可以有效减弱GaN HFET的性能退化.最后提出减弱器件性能退化的方法和途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	30	154	7.0	11.0