掩模特征尺寸稳定性工艺控制

• 作者: 李文石 胡广荣
• 来源期刊: 江苏电器
• 学科: 工学
• 关键词: 特征尺寸 稳定性 工艺控制 掩模 曝光 显影 光刻胶
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 工艺与装备
• 页码范围: 47-48,64
• 页数: 3页
• 分类号: TM930.5|TN305.7
• 字数: 1532字
• 语种: 中文

摘要

半导体掩模特征尺寸的大小是判断掩模制造水平的重要标准.介绍了影响半导体掩模特征尺寸的因素.指出了工艺稳定性是控制掩模线条尺寸的关键.通过对曝光、显影两道关键工艺的实验,分析了曝光量、镜头焦距和显影时间是影响掩模特征尺寸稳定性的重要因素.实验表明:曝光、显影设备间隔一段时间未用需作监控测试;光刻胶厚度和掩模衬底的反射作用,会对掩模特征尺寸的稳定性产生影响,应加强对胶厚的严格监控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文石	苏州大学电子信息学院	63	284	10.0	13.0
2	胡广荣	苏州大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0