SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟

• 作者: 刘征 孙永节 李少青 梁斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 双指数模型 电路模拟 器件模拟 SRAM
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.029

摘要

在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,最后分别使用电路模拟和混合模拟两种方法得到了存储单元的LET阈值,通过在精度和时间开销上的对比,验证了这种模拟方法的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李少青	国防科技大学计算机学院	19	94	5.0	8.0
2	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
3	刘征	国防科技大学计算机学院	6	66	4.0	6.0
4	孙永节	国防科技大学计算机学院	7	70	4.0	7.0