一种新型力电耦合超晶格半导体结构研究

• 作者: 张文栋 张斌珍 李科杰 薛晨阳
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 力电耦合 共振隧穿效应 超晶格薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 178-181
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3|TG156
• 字数: 2607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2007.02.012

摘要

采用分子束外延方法在GaAs衬底(001)上生长了AlAs/GaAs双势垒超晶格薄膜结构,测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下,其I-V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系.为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李科杰	北京理工大学机电工程学院	109	1207	18.0	30.0
2	张文栋	中北大学电子测试技术国家重点实验室	167	1172	16.0	26.0
3	薛晨阳	中北大学电子测试技术国家重点实验室	136	765	14.0	21.0
4	张斌珍	北京理工大学机电工程学院	107	535	12.0	18.0