氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

• 作者: 何海平 叶志镇 张银珠 朱丽萍 赵炳辉 马全宝
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Ga 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1113-1116
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.019

摘要

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	何海平	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
4	张银珠	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
5	赵炳辉	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
6	马全宝	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	3	22	2.0	3.0