Si衬底上SiC薄膜的快速生长

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 曾一平 李家业 李晋闽 王雷 罗木昌 赵万顺 赵永梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC 快速生长 XRD
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 218-220
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.054

摘要

用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上快速外延生长了SiC.用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)分析了SiC外延膜.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的作用机理,以及在快速生长条件下外延膜的结晶和取向关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
5	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
6	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
7	赵永梅	中国科学院半导体研究所	7	14	2.0	3.0
8	刘兴昉	中国科学院半导体研究所	8	28	2.0	5.0
9	李家业	中国科学院半导体研究所	3	3	1.0	1.0