过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展

• 作者: 吴雪梅 诸葛兰剑 陈正才
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 ZnO薄膜 过渡金属掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 15-22
• 页数: 8页
• 分类号: O471.1
• 字数: 5269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.01.004

摘要

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究.综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理科学与技术学院	72	331	9.0	13.0
5	诸葛兰剑	苏州大学江苏省薄膜重点实验室	59	199	8.0	11.0
9	陈正才	苏州大学物理科学与技术学院	1	9	1.0	1.0