应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

• 作者: 姚飞 成步文 时文华 王启明 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 高频大功率 最大单边功率增益 功率增加效率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 435-438
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+4
• 字数: 2333字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.111

摘要

高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	24	77	6.0	7.0
5	时文华	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	8	17	2.0	4.0