应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中 In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

• 作者: 刘昭麟 夏长生 崔昊杨 杨宇 王茺 陆卫 陈平平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 合金分解效应 InAs/In0.15Ga0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5418-5423
• 页数: 6页
• 分类号: TG1
• 字数: 3948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.072

摘要

利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.