含B闪锌矿三元系半导体BxIn1-xP和BxGa1-xP带隙理论预测

• 作者: 任晓敏 吕吉贺 周静 熊德平 王琦 舒伟 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 含B化合物 带隙弯曲参数 带隙 广义梯度近似
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 860-864
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 3343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.008

摘要

利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32eV,b_Eg(X) =1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b _Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.